在電極電位偏離平衡電位不遠時，電流 密度很小，金屬離子在陰極上還原的數(shù)量不多，吸附原子的濃度較小，而且晶體表面上的“生 長點”也不太多。因此，吸附原子在電極表面上的擴散距離相當長，可以規(guī)則地進人晶格，晶 粒長得比較粗大。
在這種情況下，表面擴散速度控制著整個電結(jié)晶的速度。當電極電位變 得更負些時，吸附原子的濃度逐漸增大，晶體表面上的“生長點”也大大增加。于是吸附原子 表面擴散的距離縮短了，表面擴散更為容易。此時，吸附的原子來不及規(guī)則地排列在晶格 上，而是在晶體表面上隨便“堆砌”，使得局部區(qū)域的晶體不可能生長太快，因而可獲得細小 的晶粒。這時，表面擴散速度可以變得比放電速度快得多，因此，整個電結(jié)晶過程的速度受 離子放電速度的控制。
另一方面，在過電位的絕對值很大時，電流密度也相當大，被還原的金屬離子數(shù)量很多， 會在電極表面形成大量的吸附原子。在這種情況下，它們很有可能聚積在一起，形成新的晶 核。而且極化越大形成晶核的概率就越大，速度就越快，晶核的尺寸也就越小，因而可以獲 得細致光滑的金屬層。因此在電鍍過程中，需要在晶體生長的同時，還有大量的晶核形成。 也就是說，電鍍時總是設法使陰極電化學極化大一些。
在實際電鍍過程中，單靠提高電流密度來提高陰極極化是不行的。因為電流密度過大 時，會使得濃度極化的增加遠大于電化學極化的增加，結(jié)果使鍍層變得粗糙、疏松、多孔甚至 燒焦。